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[讨论] 赐教:射频有屏蔽罩的传导杂散比无屏蔽罩的要差5-6dB,为何?

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1#
发表于 2006-11-16 16:43:25 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
射频PA+FEM加上屏蔽罩的传导杂散更差(DCS的二三次谐波),不知是何原因,请赐教!

签到天数: 15 天

[LV.4]偶尔看看III

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发表于 2016-11-8 15:28:04 | 只看该作者
可能原因三个 :

1. 匹配组件受Shielding Cover影响  以至于阻抗偏了
   如下图 :



若Shielding Cover跟匹配组件太近   其寄生效应改变其电感或电容值
以至于阻抗改变  那当然传导谐波变大
尤其是早期0402组件更容易这样   但现在0201组件很少会这样了


2. RF 讯号泄漏到PA的Vcc

当你盖上屏蔽罩时   PA会把RF讯号  辐射或耦合到屏蔽罩上方




也就是说  屏蔽罩上方  会有残留的TX讯号

若屏蔽罩接地良好  那么这些残留的TX讯号  会通通流到GND
若屏蔽罩接地良好  那么这些残留的TX讯号  
一部分流到GND  一部分会再反射  
若反射的TX讯号  打到PA的Vcc   那当然TX性能就劣化



3. 屏蔽罩跟PA离太近  之间的寄生效应   改变了PA特性




验证方式 :

第一种现在很少见了   所以就不提

第二种的话   可以这样验证  如下图:




因为你说没加屏蔽罩时   其传导杂散会比较好
因此  如果在没加屏蔽罩状况下  你用这种方式
其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差   
那凶手就可能是来自这原因

值得注意的是   那个DC Block要加
避免Vcc的直流电源  回灌到PA或CMW500


第三种的话   在没加屏蔽罩状况下

在PA上方先贴个胶带   再随便放个金属片



一样  你说没加屏蔽罩时   其传导杂散会比较好
因此  如果在没加屏蔽罩状况下  你用这种方式
若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差   
那凶手就可能是来自这原因







解决方案:

第一种现在很少见了   所以就不提

第二种的话   



因为凶手是来自RF讯号灌入Vcc  所以你在Vcc那边
摆放一个落地电容  让灌入Vcc的RF讯号流到GND
既然你主频是DCS  以0201的电容来讲  你就放个18 pF


第三种只能改机构
要嘛把屏蔽罩跟PA之间距离拉大
不然就是PA上方直接开天窗

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点评

就服你!  发表于 2017-6-28 17:10

该用户从未签到

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发表于 2006-11-16 20:49:08 | 只看该作者
楼主说的是二三次谐波,那可能有两种原因:

1. 屏蔽罩影响了PA输出匹配(原因是改变等效介电常数),导致PA非线性增强,这种情况同时会有其他非线性指标恶化。
2. 若前端BPF是半开放场结构,屏蔽罩会使BPF失谐降低性能,导致带外抑制度下降。

这论坛真怪,回贴没奖励,一堆人黑了心卖资料,以后要少来。[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

该用户从未签到

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发表于 2006-11-21 22:05:54 | 只看该作者
原理很简单,通常的BPF为介质滤波器,设计上可分为半开放场结构和封闭场结构的。当BPF采用半开放场结构时,要求顶部介质外为开放空间(设计上默认为填充空气介质),距离较近的金属会改变场结构而严重影响滤波特性,封闭场结构的BPF则不受影响。
其实很多射频问题用电磁场理论比较好解释。[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

该用户从未签到

2#
发表于 2006-11-16 17:23:15 | 只看该作者
怀疑你的屏蔽罩的接地和PA输入或输出的走线离得过近,或它们的过孔.另外,有些平台要求屏蔽罩的地和射频的地在第一层是不能连在一起的.最好到主地再连在一起.[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

该用户从未签到

3#
发表于 2006-11-16 18:57:34 | 只看该作者
楼上的解释有创意

该用户从未签到

5#
发表于 2006-11-16 21:54:33 | 只看该作者
个人觉得,是否屏蔽罩形成腔体,同时导致了BPF谐振点改变,影响了BPF性能。另外可能导致PA轻微自激。
顺便说一句3楼的兄弟好帅![br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

该用户从未签到

6#
 楼主| 发表于 2006-11-17 10:43:59 | 只看该作者
各位,屏蔽罩目前的孔径是1.5,能否通过修改屏蔽罩来修改!改匹配电路能否可行?

该用户从未签到

7#
发表于 2006-11-17 11:39:04 | 只看该作者
楼主所说的将PA+FEM屏蔽框加上,是不是没有将PA与FEM、Tranceiver分开处理,个人认为不应该将PA和FEM地连在一起,起码要有地隔离,这样很容易产生寄生耦合,也会使BPF滤波衰减谐波能力变差。[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

签到天数: 3 天

[LV.2]偶尔看看I

8#
发表于 2006-11-17 14:22:42 | 只看该作者
有可能是屏蔽盖接地不好,使得谐波通过屏蔽盖的反射绕过FEM[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>

该用户从未签到

9#
发表于 2006-11-17 21:00:34 | 只看该作者
可在BPF对应部位开口,开口大小略大于BPF平面尺寸即可解决半开放场BPF问题。当然,能把BPF移出屏蔽罩更好。PA本身的失配则可通过调整输出匹配解决。不过前一种可能性较大。

原来回贴还是有奖的,错怪版主了。[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

该用户从未签到

10#
 楼主| 发表于 2006-11-20 14:34:07 | 只看该作者
我在FEM后端(到RF CON)加了一个带阻滤波器,有很大改善,此滤波网络也在屏蔽盖内!给位老大说的屏蔽罩开口也很有效果,谢谢!

该用户从未签到

11#
发表于 2006-11-20 20:46:28 | 只看该作者
哪位高手能够出来解释一下到底是什么原因?

该用户从未签到

12#
发表于 2006-11-21 09:28:22 | 只看该作者
屏蔽罩离PA和FEM的高度是否足够??

该用户从未签到

13#
发表于 2006-11-21 09:55:36 | 只看该作者
个人感觉应该是屏蔽盖和下面的元件还有主板的地形成的寄生电容造成的。
EMI的不好,主要是由于信号不能走回路,看看把shieding下多打地孔是不是有效。
这样可以形成低电感高电容。
我原来做基站就遇到了这样的问题。
如有不对,欢迎拍砖[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

该用户从未签到

15#
 楼主| 发表于 2006-11-22 14:22:24 | 只看该作者
目前屏蔽罩是直接贴在主板上的,高度1.7,是有点矮!

该用户从未签到

16#
发表于 2006-11-24 17:13:21 | 只看该作者
杂散分为:传导杂散和辐射杂散两种。
      屏蔽罩的功能是屏蔽射频电路外部的干扰,但是如果屏蔽罩内部的辐射杂散太大,在加盖了屏蔽盖之后,辐射杂散无法往外辐射,会耦合到传导杂散里面。所以在射频电路本身没有做好的情况下,无屏蔽盖的传导杂散反而比有屏蔽盖好。
      射频电路有没有做好就是看:1。Vcc落地电容是否合适,是否将杂波滤掉了。
                                             2。PA to switch 的匹配是否做到位。Switch to antenna的匹配是否做到位。
     关键是匹配。[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

该用户从未签到

17#
发表于 2006-11-27 13:17:18 | 只看该作者
<DIV class=quote><B>以下是引用<I>aiyanfa</I>在2006-11-22 14:22:24的发言:</B>
目前屏蔽罩是直接贴在主板上的,高度1.7,是有点矮!
</DIV>



就是这个原因,设计的时候要考虑到

签到天数: 3 天

[LV。2]偶尔看看I

18#
发表于 2006-12-21 17:07:04 | 只看该作者
2楼的解释很有道理,我遇到过.

huangyw     
怀疑你的屏蔽罩的接地和PA输入或输出的走线离得过近,或它们的过孔.另外,有些平台要求屏蔽罩的地和射频的地在第一层是不能连在一起的.最好到主地再连在一起.

该用户从未签到

19#
发表于 2006-12-22 13:56:38 | 只看该作者
16楼兄弟的讲法比较合理!

签到天数: 7 天

[LV。3]偶尔看看II

20#
发表于 2006-12-23 14:52:00 | 只看该作者
<DIV class=quote><B>以下是引用<I>yuangtmp</I>在2006-11-21 22:05:54的发言:</B>
原理很简单,通常的BPF为介质滤波器,设计上可分为半开放场结构和封闭场结构的。当BPF采用半开放场结构时,要求顶部介质外为开放空间(设计上默认为填充空气介质),距离较近的金属会改变场结构而严重影响滤波特性,封闭场结构的BPF则不受影响。
其实很多射频问题用电磁场理论比较好解释。

<P align=right><FONT color=red>+3 RD币</FONT></P></DIV>


这位大哥,这里你说的BPF是什么东东?是带通滤波器吗?
我怎么在做的平台上,射频部分没有这块东西啊?
请赐教!谢谢

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